domingo, 27 de junio de 2010

Fabricacion de CI MOS


  1. No es preciso crear recintos aislantes que ocupan aproximadamente el 30% de la superficie del sustrato en tecnología bipolar.
  2. No se precisa la creación de depósito epitaxiales.
  3. No se precisa más que de una sola operación de difusión ( en tecnología bipolar se precisan por lo menos 4 ).
EL MOS TETRODO

Así (Figura 3.26) la firma Sprague – Mostek implanta un canal a través de una capa delgada de óxido (la capa espesa detiene los iones de bombardeo), mientras que LETI o Philips sugieren una implantación de surtidor y drenador.
En todo caso se emplea una tecnología mixta en la actualidad, utilizándose a la vez la difusión y la implantación iónica.



Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

Circuitos integrados

Los circuitos integrados son circuitos "comprimidos" en una microplaqueta (chip) que realizan la misma función que un circuito compuesto de transistores, diodos, resistencias, etc., cuyo número puede llegar a superar el millón de componentes. Con la aparición de los circuitos integrados (CI) a finales de la década de 1.950 se ha producido un cambio total en la forma de fabricar los circuitos electrónicos. El factor más importante de este cambio es la gran reducción que se ha conseguido en el tamaño de dichos circuitos.

Esta reducción ha traído consigo que todos los aparatos electrónicos sean mucho más pequeños y más manejables para todo el mundo y de ahí viene el gran "bum" de los ordenadores en las últimas décadas, así como de las calculadoras, relojes, etc. Pero ¿qué es exactamente un CI?. Se denomina CI a un circuito electrónico metido en una cápsula de dimensiones muy reducidas, y que está constituido por un conjunto de diodos, transistores, resistencias y condensadores. Se fabrica todo sobre un substrato común y en un mismo proceso según diferentes técnicas que más adelante se mostrarán. Lo importante es que cada CI puede desempeñar una función concreta sin interesarnos los componentes que contiene en su interior.

VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS CI

Además de su reducido tamaño, los circuitos integrados tienen numerosas ventajas. Una de las consecuencias de la implantación de los CI, a la que apenas se le ha dado importancia, es que ahora las personas que se dedican a diseñar, fabricar, manipular aparatos electrónicos han tenido que cambiar por completo su mentalidad y su preparación. Ya no es tan necesario saber perfectamente de que está compuesto el circuito, ni hay que preocuparse de las múltiples conexiones que antes tenía cualquier aparato, sin embargo hay que saber manejar aparatos más sofisticados, como osciloscopios, computadoras, etc. Dentro de un solo circuito integrado van "integrados", como su nombre indica, numerosos componentes, resistencias, transistores, diodos, etc., que juntos desempeñan una función. Pues bien, de ese CI sólo interesa saber la función que realiza y cómo se acopla al aparato que se esté fabricando, y prácticamente no interesa nada sobre cómo está constituido internamente, ni sus conexiones, ni los elementos que lo forman, ni la función que desempeña cada uno de ellos individualmente. Por lo tanto, los CI forman parte de circuitos electrónicos cuyo coste total es más barato al ser más fácil su diseño.

Como ha visto, un circuito integrado contiene muchos componentes electrónicos y, aunque la fabricación de cada CI resulte más cara que la de un componente discreto, es tal la popularidad de los CI debido a sus grandes ventajas, que se construyen un número muy elevado de ellos cada vez, consiguiendo así que el precio de cada unidad sea bastante bajo.

Otra de las metas que continuamente tienen los diseñadores de circuitos electrónicos es conseguir aumentar la velocidad de respuesta de sus componentes. Esto, como cabe esperar, se consigue totalmente con los CI, ya que, al estar todos los elementos en un espacio tan reducido, las señales pasan rápidamente de unos a otros aumentándose así la velocidad considerablemente.

Los aparatos realizados con CI son los más fiables por varios motivos; primero, porque en los fabricados con componentes discretos se tiene que juntar la fiabilidad de cada uno de los elementos que componen el circuito para obtener la fiabilidad total que tiene; segundo, porque se utilizan técnicas de fabricación muy modernas, muy estudiadas y se fabrican con mucha minuciosidad en cada una de las fases por las que pasan. Al ser mucho más reducido el espacio de interconexión, las posibilidades de fallo son mucho menores y, por último, se debe pensar en el encapsulado de este tipo de CI que hace que estén mucho más protegidos.

Al sustituir los circuitos integrados a un montón de "piezas" dentro de un circuito se consiguen varias cosas: primero se produce una reducción muy importante en los errores de montaje, ya que éste suele ser sencillo y con pocas conexiones, al producirse una avería se puede localizar mucho mejor y no es necesario tener un montón de repuestos de cada elemento. Por último, y aunque en principio pueda parecer un inconveniente, se sabe que cuando se produce una avería en un CI es muy difícil de solucionar y suele ser necesario reemplazarlo por otro nuevo, esto supone una ventaja debido al tiempo, materiales y conocimiento del funcionamiento interno que se ahorra y, como se ha visto antes, el coste de un CI no es muy elevado.

A pesar de su enorme utilización, no todo son ventajas en estos diminutos elementos. Existen algunos inconvenientes, aunque no tan importantes como para conseguir influir en la enorme popularidad de los circuitos integrados. Entre los inconvenientes se puede decir que no todos los elementos discretos que se conocen pueden ser integrados en un CI. Así, las bobinas o inductores no se pueden integrar, y con las resistencias y los condensadores se tienen limitaciones en los valores que pueden alcanzar, debido a que cuanto mayor sea el CI mucho mayor será su coste. Por esta razón, una resistencia suele estar limitada a tener como mucho 50 kW y un condensador 100 pf. Debido a esta limitación, estos elementos, condensadores y resistencias, se sacan muchas veces fuera de los CI y al montar el circuito se montan exteriormente. También se produce un inconveniente al no ser muy recomendable integrar juntos transistores PNP y NPN, ya que hay muchos circuitos que están compuestos de ambos tipos de transistores. La tensión que se le puede aplicar también está limitada, siendo recomendable que el valor de ésta no exceda los 20 V. Se ha dicho que el precio de un circuito integrado es bastante reducido y esto no es cierto del todo, ya que para que esto sea verdad se tiene que cumplir una condición y es que el circuito integrado se debe fabricar en grandes cantidades, pues si se desea un CI adaptado a necesidades particulares resultará muy costosa su fabricación.

Por último, dentro de los inconvenientes se pude tener problemas con la potencia disipada, ya que, al estar los elementos tan juntos, las corrientes grandes pueden producir calor y, al aumentar mucho la temperatura, se puede llegar a estropear el circuito.

MEJORAS GRACIAS A LOS CI


Una de las aplicaciones de los CI que ha crecido más espectacularmente en los últimos años ha sido la de los microprocesadores. Un microprocesador es un CI compuesto por una de las partes más importantes de un computador: la CPU, unidad central de proceso. Como todos los CI el microprocesador tiene un tamaño muy reducido. Gracias al tamaño reducido, y a otros avances tecnológicos, se ha conseguido pasar en pocos años de las grandes computadoras (que ocupaban habitaciones enteras y que son difíciles de manejar por lo que necesita de profesionales muy calificados que dediquen muchas horas para hacer pequeñas operaciones), a los ordenadores personales, PC, mucho más pequeños, manejables, fáciles de usar y económicos, por lo que han pasado a formar parte de todas las facetas de la vida: medicina, banca, industria, investigación, etc.

La importancia de los CI es incalculable y cada día que pasa se van reduciendo más sus dimensiones y aumentando su velocidad de respuesta.

CLASIFICACIÓN DE LOS CI

Se puede hacer varios tipos de clasificaciones según el criterio que se use. Una de estas clasificaciones está basada en el tipo de transistores que se emplée. Así, se puede tener un CI bipolar, si se fabrica a base de transistores bipolares, NPN y PNP, y circuitos integrados MOS, si lo que se usan son transistores de efecto campo más conocidos como MOS. Según la manera de fabricar un CI se puede encontrar circuitos integrados monolíticos, en los cuales se forman todos los componentes a la vez en el substrato semiconductor. Circuitos integrados multiláminas formados por capas gruesas, o circuitos integrados de capas delgadas. Y, por último, dentro de esta clasificación se pueden encontrar los circuitos híbridos que combinan la fabricación monolítica con la de multilámina o la de capas delgadas.

Según el número de componentes que contengan se puede dividir los circuitos integrados en SSI (Small Scale Integrated), formados por pocos componentes, MSI (Mediun Scale Integrated), varios cientos de componentes, LSI (Large Scale Integrated), miles de componentes y los VLSI (Very Large Scale Integrated), que han superado el millón de componentes.

Por último, si se tiene en cuenta el tipo de señales con las que van a trabajar los circuitos integrados, se puede encontrar CI digitales que, como su nombre indica, trabajan con señales digitales y los CI analógicos, que trabajan con señales analógicas.


FABRICACIÓN DE UN CIRCUITO INTEGRADO

En los circuitos integrados monolíticos todos los componentes se encuentran en una sola pastilla de silicio. Para fabricar un circuito integrado monolítico se parte de una lámina de silicio denominada "oblea" la cual a su vez está dividida en un gran número de plaquetas cuadradas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un CI. Por lo tanto, con una oblea se puede fabricar a la vez un montón de CI.

Se suele partir de un semiconductor tipo P y por la técnica epitaxial se coloca encima una capa de silicio tipo N.

Para este proceso se utiliza un horno epitaxial. Este tipo de crecimiento va a asegurar que la región tipo N que se acaba de añadir tiene estructura de un solo cristal, al igual que la región tipo P.

Seguidamente, le se coloca una capa de óxido a la oblea, para ello se introduce en un horno de oxidación formándose una capa delgada de dióxido de silicio (SiO2) que recubre a la oblea y cuyas funciones más importantes van a ser la de proteger al circuito contra la contaminación.


La siguiente etapa se denomina fotoprotección. Consiste en colocar una sustancia orgánica que sea sensible a la luz ultravioleta, denominada fotoprotector, sobre la capa de óxido.

En esta capa se coloca una máscara que tiene unas ventanas opacas en la zona donde se va a realizar la siguiente difusión (por ejemplo, se quiere integrar un transistor NPN se tiene que tener bien definidas tres regiones: el colector, la base y el emisor. Estas tres zonas determinarán cómo será la máscara y dónde tendrá las ventanas opacas) . Se expone la oblea a rayos ultravioleta y el barniz fotosensible que había debajo de las ventanas opacas se va a eliminar y va a aparecer la capa de dióxido de silicio.



Después se ataca a la oblea con ácido fluorhídrico y las zonas de SiO2 que han quedado al descubierto se van a destruir quedando ahora al descubierto la capa de material tipo N.

El siguiente paso es realizar una difusión tipo P. Se introduce la oblea en un horno de difusión y se dopa con gran cantidad de impurezas tipo P. Así se convierte en tipo P la zona que queda al descubierto de la capa epitaxial tipo N. Se ha conseguido aislar una zona tipo N, que ha quedado rodeada por semiconductor tipo P y por dióxido de silicio. Si se estuviese haciendo un transistor esta zona aislada podría ser, por ejemplo, el colector. Se repite el proceso de oxidación y de fotoprotección y se colocan unas máscaras diferentes, por ejemplo, para formar la base. Se difunde nuevamente impurezas tipo P. Para formar el emisor se podrían repetir todos los pasos pero con la diferencia de que al final se añaden impurezas tipo N.

Para conectar todas las regiones "n" y "p" se suele usar una película delgada de un material conductor por ejemplo el aluminio. Se coloca nuevamente una capa de oxidación y un fotoprotector y la máscara que pone ahora tiene ventanas que van a permitir que se realicen las conexiones eléctricas, por ejemplo, entre la base y el colector. Después de realizar la metalización y una vez que las conexiones eléctricas se hayan hecho, se cortan los diferentes chips de la oblea.

Después de separarlos, se realizan las conexiones necesarias de cada chip con los pines de la cápsula que va a contener el circuito integrado, estas conexiones se realizan soldando hilo de aluminio muy delgado. Para acabar, se introduce el chip dentro de la cápsula que lo va a proteger, y así termina el proceso de fabricación de un CI.

AISLAMIENTO DE LOS ELEMENTOS DEL CI

Dentro de un circuito integrado puede encontrarse una gran cantidad de componentes. Estos componentes pueden ser de diferentes tipos: resistencias, transistores, condensadores, etc., o del mismo tipo. Una de las necesidades que se presenta es separar los elementos, no físicamente ya que todos forman parte del mismo circuito integrado, sino que han de ser aislados eléctricamente para que cada uno pueda seguir comportandose según sus características, es decir, que, por ejemplo, los transistores sean exactamente iguales y cumplan las mismas propiedades que tiene un transistor discreto (que no forma parte de un circuito integrado).

Hay varias formas de conseguir el aislamiento eléctrico entre los diferentes elementos que componen un circuito integrado: la más usada de todas ellas, debido a lo económica que resulta, es la denominada "aislamiento de unión". Supóngase que se quieren separar dos transistores, este método consiste en polarizar inversamente las regiones N y P y, al no circular corriente, se produce el deseado aislamiento eléctrico entre los dos transistores.

Otra forma es usando dióxido de silicio, SiO2, recubriendo cada región de colector de cada uno de los transistores, el dióxido de silicio se comporta como un aislante. Por último, hay un tipo de aislamiento denominado "tipo viga" que es parecido al aislamiento de unión. La diferencia radica en que en el tipo viga, al realizar la metalización, se forma una capa muy gruesa encima de la oblea. Después se remueve el silicio que sobra en el substrato tipo P. Se forma una estructura con los circuitos conectados semirrígidamente y todos los elementos separados unos de otros.

TECNOLOGÍA DE PELÍCULA DELGADA Y GRUESA

En los circuitos integrados monolíticos se ha visto que se forman todos los componentes a la vez en un substrato semiconductor. En la tecnología de película delgada y en la de película gruesa no ocurre lo mismo. Las resistencias y condensadores de valores pequeños se fabrican en el substrato, pero las resistencias y los condensadores de valores grandes y algunos circuitos monolíticos son exteriores al chip y se conectan formando un circuito híbrido. Este tipo de circuitos tiene la peculiaridad de que no se forman sobre la superficie de un semiconductor sino que lo hacen sobre un material aislante que puede ser vidrio o un material cerámico.

La técnica de fabricación de películas delgadas consiste en ir haciendo una deposición por medio de una evaporación al vacío o pulverización catódica. La superficie que contiene el substrato actúa como el ánodo, y el material que se va depositando por la deposición como cátodo. Los pasos para el procesamiento de un circuito integrado por tecnología de película delgada son muy similares a los que se han explicado de los circuitos monolíticos.

En la tecnología de película gruesa se utiliza un circuito impreso sobre el cual se van a depositar las resistencias, condensadores, etc. Una de las ventajas de esta tecnología es que resulta más barata que la de película delgada.

Puede parecer complicado al principio, pero el tema de las normalizaciones que rodea al mundo de los integrados, bien en encapsulados o bien en cuanto a zócalos y conexiones, es sencillo si se enfoca desde un punto de vista práctico.

Toda la gama de circuitos integrados disponibles se engloba dentro de cierta familia o apartado. Podemos ver una primera subdivisión de los circuitos integrados en función de su aplicación específica. Una segunda clasificación podría ser aquella que nos permite clasificar los chips según estos se dividan por el tipo de encapsulado. Pero a pesar de existir cierta norma, los fabricantes suelen hacer sus propias subclasificaciones, lo cual suele desembocar en un más que aparente caos.


Antes de continuar con este tema conviene aclarar que la forma en que se aplican encapsulados a los circuitos integrados ha motivado en los últimos años la aparición en el mercado electrónico de conjuntos de componentes discretos típicos -como, por ejemplo, las resistencias- que han aprovechado la "normativa" impuesta por los chips en su propio beneficio, acogiéndose a los tamaños y encapsulados de aquellos, lo cual simplifica diseños y facilita la colocación de ingentes cantidades de componentes en un espacio bastante reducido. Por esta razón no debe sorprendernos encontrar un "aparente" chip o circuito integrado dentro de un moderno circuito y que tal chip no es más que un conjunto de 8 ó 10 resistencias de idéntico valor óhmico, con lo que esto representa en cuanto a ahorro, tanto en la parte económica como en la de espacio, cuestión a tener muy en cuenta en el diseño electrónico moderno.

LOS INTEGRADOS SEGÚN SEA SU APLICACIÓN

Podríamos decir que por cada aplicación específica que se nos ocurra y que haya sido diseñada en forma de componentes discretos -esto es, no integrados- existe un circuito monolítico capaz de implementar la misma función. Esto, como es lógico, no deja de ser una pequeña exageración pero lo que no es menos cierto es que la evolución tecnológica y el abaratamiento de costes de los circuitos integrados hacen que aparezcan más y más modelos de circuitos integrados cada día. No es extraño que la evolución tecnológica tienda a esto: ¿a quién no le encantaría realizar una pequeña aplicación electrónica y meterla luego dentro de un encapsulado único y fácil de colocar en cualquier circuito? Podemos avanzar que esto es ya una realidad para el aficionado a la electrónica, pero esto... es ya otra historia.

TIPOS DE CHIPs O INTEGRADOS

Dentro de la familia de los circuitos integrados disponibles hoy en día en el mercado -no olvidemos que esto varía en horas- podemos encontrar tras apartados fundamentales:

1º) Circuitos integrados lineales.

2º) Circuitos integrados digitales.

3º) Circuitos de tipo híbrido.

Puede que esta no sea la división perfecta, pero nos servirá para los fines didácticos que perseguimos.
De una lado tenemos los circuitos lineales, denominación que normalmente se aplica a circuitos integrados de uso específico y que no se englobe en el amplio grupo de las aplicaciones digitales. Puede decirse que esta gama de circuitos reproduce comportamientos implementables con circuitería analógica de tipo discreto. Por poner un ejemplo, los amplificadores operacionales pueden ser reproducidos transistor a transistor de forma independiente, lo cual, hoy en día, parece un asunto fuera de toda lógica.

Por otro lado, los circuitos integrados digitales se dedican a trabajar con señales de tipo "todo o nada" o "cero y uno",asunto este dedicado, casi en exclusividad, al mundo de los ordenadores y la informática.

En último lugar aparecen una gama de circuitos integrados a los que hemos dado en denominar híbridos. Esta familia abarca toda la gama de integrados que no puede colocarse de forma contundente a un lado u otro dentro de los dos grupos anteriores.

Para poder tener una idea más clara de a qué grupo pertenece cada circuito integrado vamos a abordar unos ejemplos dentro de cada grupo comentado.


CIRCUITOS LINEALES ANALÓGICOS

Queda claro que las aplicaciones de carácter analógico han precedido, de forma histórica, a las de carácter digital. Por esta razón cabría pensar que la realización de integrados de tipo analógico pasa sólo por el trámite de colocar un circuito que opere correctamente con componentes discretos y encapsularlo en un formato monolítico. Además de esto es preciso que dicho circuito sea rentable, tanto en el campo económico como en el de la prosperidad de futuras aplicaciones para el mismo.

Como ejemplo ya mencionado destaca el amplificador operacional, pero hay otros tan interesantes como éste. Podemos mencionar los amplificadores integrados que equipan tanto los modernos equipos de radiocasete para coche como los equipos Hi-Fi caseros. También destacan los integrados destinados a los equipos de recepción (y emisión) de radio, TV y comunicaciones en general. Otro campo de aplicación de los integrados lineales es el de los sensores integrados, aunque este apartado lo comparten con los circuitos de tipo híbrido que luego comentaremos.

CIRCUITOS DIGITALES BIT A BIT

La parte mínima de un circuito digital está introducida en un chip y responde a la denominación de puerta lógica. Es posible, cómo no, implementar esta misma puerta en modo de componentes discretos.

Una puerta lógica, como ya veremos, realiza la parte más sencilla de la operativa de un circuito digital. Por ejemplo, cuando introducimos un cero lógico (p. ej. cero voltios) en una puerta que realice la función lógica "inversor" obtendremos en la salida de dicho chip un uno lógico ( +5 V si trabajamos en norma TTL ). Además de estas sencillas funciones los circuitos digitales pueden contener:

- Funciones lógicas complejas, memoria volátil y no volátil, Unidad Central de Proceso o CPU, microcontroladores, registros de desplazamiento, etc.

CIRCUITOS HÍBRIDOS

Para finalizar este breve repaso por los circuitos integrados existentes en el mercado vamos a abordar el apartado que hemos dado en llamar "circuitos híbridos".

A este apartado pertenecen circuitos tales como los convertidores de nivel, los convertidores A/D o sus homónimos D/A.

Un convertidor de nivel será, por ejemplo, aquel que está destinado a compatibilizar las diferentes familias lógicas. Por comentar un caso claro, la familia de circuitos digitales denominada TTL responde a niveles lógicos típicos de 0 = cero voltios y 1 = cinco voltios, mientras que los niveles típicos de la familia lógica CMOS son de 0 = cero voltios y 1 = depende de la alimentación.

Queda claro que para intercambiar datos entre un formato y otro deberemos utilizar un tipo de chip que nos permita convertir niveles, con lo cual queda clara la aplicación de éstos.


Adriana Gabriela Trujillo

C.I.17863740

EES

SECC. 02

Amplificadores con ganancia HBT de InGaP

Avago Technologies, suministrador de componentes analógicos de interface para aplicaciones de comunicaciones, industriales y de consumo, ha anunciado hoy dos nuevos amplificadores con bloque de ganancia MMIC de HBT (Transistor Bipolar de Heterounión) de InGaP, económicos y de fácil utilización, de tipo general y dirigidos a una amplia variedad de aplicaciones inalámbricas.

Amplificadores con ganancia HBT de InGaP
Los bloques de ganancia AVT-51663/53663 de Avago, que trabajan en la banda de frecuencias de CC a 6000MHz, se pueden utilizar como bloque de ganancia para banda ancha o como amplificador de control.Estos bloques de ganancia están destinados a diseñadores de aplicaciones de infraestructura celular, pero también se pueden utilizar en diversas aplicaciones inalámbricas de otro tipo, como Estaciones Base, WiMAX, WLAN, CATV, TV por Satélite y decodificadores (set-top boxes).
Los amplificadores, que tienen una adaptación interna a 50 Ohms, se diseñaron en una configuración Darlington dentro de un encapsulado estándar para montaje superficial SOT-363 de seis terminales.
La estructura de realimentación Darlington proporciona de forma inherente unas prestaciones de gran ancho de banda que dan como resultado un rango útil de frecuencias operativas de hasta 6 GHz, logrando así que el AVT-51663/53663 sea ideal para cascadas de ganancia de pequeña señal o amplificación de IF. Además, estos nuevos bloques de ganancia se caracterizan por su sencilla instalación y sólo necesitan condensadores para bloqueo de CC, choque de RF, resistencias de polarización y condensadores de puenteo (bypass) para su funcionamiento. No se precisan otros componentes para adaptación de RF para lograr las prestaciones en banda ancha.
Estos nuevos amplificadores con bloques de ganancia se desarrollaron utilizando una avanzada tecnología HBT de InGaP que ofrece los más avanzados niveles de fiabilidad, estabilidad de temperatura y consistencia de prestaciones. En caso de funcionamiento típico a 5V y 37mA, el AVT-51663 ofrece 19,0dB de ganancia, 24dBm de OIP3 (Output Third Order Intercept Point) y 12,5dBm de Potencia de Salida para 1dB de Compresión de Ganancia (P1dBm) y un factor de ruido de 3,2dBm a 2000MHz.El AVT-53663 trabaja a 5V y 48mA para proporcionar 19,5dB de Ganancia, 5dBm de OIP3, 15dBm de P1dB y un factor de ruido de 3,2dB a 2000MHz.
Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

Submicron InP–InGaAs Single Heterojunction Bipolar Transistors With fT of 377 GHz

I. INTRODUCTION
The high-frequency performance of InP-based heterojunction bipolar transistors (HBTs) has steadily increased over the last few years. While double heterojunction transistors (DHBTs) have received much attention recently, InGaAs-based DHBT devices require complicated grading schemes to overcome current blocking at the base-collector junction [1]–[4], and high-quality GaAsSb material [5] is still difficult to obtain. In this paper, we report the fastest bipolar transistor to date using a simplistic SHBT layer structure. The submicron emitter dimensions allow for low-power operation while maintaining excellent dc characteristics. Such devices are critical to support high-speed low-power applications, such as 40-Gb/s OEIC receivers [6], [7] and analog-to-digital converters.

II. LAYER STRUCTURE
The epitaxial structure used in this work was directed toward achieving high current cutoff frequencies by scaling the layer thicknesses and high-power cutoff frequencies by a submicron lateral scaling process. The wafers were grown on Fe-doped semi-insulating (100) InP substrates by MBE. The layer structure is scaled from the previously reported University of Illinois at Urbana–Champaign (UIUC) structure in [6], [8]. The emitter doping level is increased to reduce emitter parasitic resistances and enhance current injection efficiency. The structure also employs a 300- compositionally graded base with an Indium mole fraction of 0.5 to 0.53 and C-doped (cm , sq) grown on a 1500- InGaAs collector. The design of the material structure has been specialized for UIUC submicron processing.

III. FABRICATION
The high-frequency devices were fabricated using a standard mesa process, utilizing both electron-beam and optical contact lithography. The process features an airbridge (referred to as a
bridge in this work) to isolate the base terminal from the active device, thereby drastically reducing extrinsic parasitic capacitances. The fabrication relies exclusively on wet etching to achieve the undercutting desired to allow both the self-aligned base metal and the -bridge release. Hexagonal emitters were defined using a Leica/Cambridge EBMF 10.5 e-beam system, resulting in a minimum emitter footprint of 0.35 m. The undercut during the emitter-base etch was precisely controlled to within 60 nm. The self-aligned base metal pattern was also e-beam defined, and a 650- Ti–Pt–Au base metal stack was then deposited by e-beam evaporation.
The use of such thin base metal did not adversely affect the mechanical robustness of the bridge. The devices are electrically isolated while simultaneously releasing the bridge and then planarized and encapsulated with bizbenzocyclobutene (BCB). The cured BCB provides structural support to the bridge during subsequent high-temperature processing steps. An etchback using a reactive ion etch (RIE) is then performed to expose the base, emitter, and collector terminals. NiCr resistors for on-wafer calibration are thermally deposited, followed by e-beam deposition of the overlay RF pads. An SEM image of a fabricated 0.35 8 m device before planarization is shown in Fig. 1.


IV. DC RESULTS
Typical values of dc gain vary from 25 to 40 between 1 A and 1 mA, with remaining constant at 40 above 1 mA. Base and collector ideality factors are 1.35 and 1.18, respectively. A common emitter family of curves is shown in Fig. 2, where the collector–emitter offset voltage is approximately 0.17 V and the knee voltage is less than 0.7 V. The commonemitter breakdown voltage is approximately 3.8 V for
the 0.35 8 m device, and the avalanche breakdown at the peak collector current is 2 V.

V. RF RESULTS
The HBTs were characterized with an HP8510C network analyzer from 0.5 to 50 GHz. The calibration was performed with on-wafer short-open-load-thru (SOLT) standards. The current gain, Mason's unilateral gain, and MSG/MAG for a 0.35 16 m HBT are shown in Fig. 3. The cutoff values
were obtained by averaging the 20 dB/decade extrapolations from 35 to 50 GHz. The dependence of and versus extrapolation frequency is shown in the inset of Fig. 3. The peak RF performance yields an of 377 GHz and occurs at an Ic of 31 mA, corresponding to a Jc of 650 kA/cm when device undercutting is factored into the emitter area calculation. An of 230 GHz was achieved simultaneously at a of 0 V. Fig. 4 shows the cutoff frequencies versus collector current for various voltages. At of 0.1 V, the peak values for and are 368 and 238 GHz respectively, showing a weak dependence of the collector-base voltage on RF performance. We have also measured several HBTs with different emitter length as shown in Table I. For a 0.35 8 mHBT, an of 370 GHz with associated of 280 GHzwas achieved. An alternative layout for the 0.35 8 m HBT, featuring a narrower base metal finger, yielded an of 363 GHz with associated of 310 GHz.



A summary of the characteristics of the most recent high-speed bipolar transistor is shown in Table I. The product for the UIUC devices exceeds 1550 GHz V, well above the Johnson limit of 200 GHz V [9]. In comparison, the UIUC InP–InGaAs SHBT surpass the best reported SiGe HBT (490 GHz V) [10], InAlAs–InGaAs SHBT (360 GHz V) [11] and InP–InGaAs DHBT(682 GHz V) [1] and approach the latest InP–GaAsSb DHBT (1800 GHz V) [5].
Transistor model parameter extraction was performed to better understand the dominant delay terms limiting the device speed. The major delay terms are as follows: ps, ps, ps, ps and ps. These equivalent circuit parameters confirm the dominant delays are due to the forward transit time, , and the base-collector charging capacitance.
.
VI. CONCLUSION
This paper has demonstrated superior dc and RF characteristics for SHBTs. The aggressive scaling of the epitaxial structure coupled with submicron emitter dimensions has produced record current gain cutoff frequencies. The RF performance along with the high-breakdown voltages exceeding 3.7 V suggest that SHBT devices will be important for low-voltage low-power mixed signal circuit applications.
Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

RFIC

Los RFIC (del inglés radio frequency integrated circuit) son circuitos integrados que trabajan en el rango de ondas de radiofrecuencia. La electrónica actual tiene una fuerte tendencia al empleo de las tecnologías inalámbricas, en las cuales se conjuga toda la potencialidad del procesado digital y analógico, para altas frecuencias, en un mismo sistema. Estos sistemas integrados requieren bajo coste, bajo consumo, altas prestaciones y tamaño reducido, en donde el papel que juega la tecnología CMOS es vital para la expansión de los sistemas inalámbricos.

RFIC CMOS LNA (amplificador de bajo ruido).

Historia

En los últimos años la tecnología CMOS ha evolucionado notablemente logrando mejoras en los niveles de integración y velocidad de proceso. Esto aunado a su bajo coste ha permitido la integración de procesadores digitales junto con el procesado analógico de la señal, dando lugar a la implementación de circuitos integrados de modo mixto. Por su parte, los circuitos integrados de Radio Frecuencia (RF) han sufrido un explosivo crecimiento por su extensa aplicación en sistemas de comunicación y equipos inalámbricos. Con respecto a los problemas tecnológicos, que se derivan de la implementación de estos sistemas en tecnología CMOS, cabe destacar el trabajo realizado por Thomas H. Lee. A él se le deben numerosas contribuciones teóricas de tecnología y diseño en este campo.

Circuitos Activos y Pasivos de Microondas

Los circuitos de microondas están divididos en dos grandes grupos: circuitos activos y circuitos pasivos. Los circuitos pasivos no agregan potencia a la señal que reciben, mientras que los activos sí que pueden agregarla. Los circuitos pasivos incluyen desde elementos discretos como resistencias, inductancias y capacitancias hasta circuitos mas complejos, tales como: Filtros, divisores,combinadores, duplexores, circuladores, atenuadores, líneas de transmisión... Entre los circuitos que pueden ser tanto activos como pasivos, están las antenas, multiplexores, mezcladores... Dentro de los circuitos activos se encuentran los RFICs, diodos, MMICs, receptores, moduladores, osciladores...

La clave la integración

Los sistemas de comunicación inalámbricas transmiten las señales a frecuencias de unos pocos GHz (usualmente entre 1 GHz y 3 GHz); en estas bandas operan sistemas y servicios cuyo impacto es significativo (Bluetooth, 2,4 GHz; UMTS, GPS, DECT, etc).
La demanda actual de estos equipos se ha satisfecho mediante sistemas MCMs, o fundamentalmente, con circuitos, tanto integrados como discretos montados sobre PCBs, basados ambos en tecnologías III-V maduras. El principal problema del uso de estos circuitos es el alto coste y el bajo volumen de producción, es muy limitado. Sin embargo, las necesidades del mercado exigen componentes de radiofrecuencia (RF) pequeños, baratos, de bajo consumo y producción masiva. De modo que los grupos de investigación y, en especial, las empresas de diseño y fabricación de sistemas para RF enfocan sus líneas de investigación para desarrollar circuitos integrados estándar de silicio: CMOS y
BiCMOS. Por tanto, los dispositivos activos en estas tecnologías alcanzan las frecuencias requeridas con unas dimensiones muy pequeñas; pero surge un nuevo problema, no se dispone de inductores de calidad.
Esta carencia anteriormente citada es muy restrictiva, pues implica la adaptación de las redes a altas frecuencias mientras que no es necesario, si se está trabajando con bajas frecuencias (por ejemplo, la utilización de circuitos de adaptación de impedancia compleja). Los inductores de calidad, son componentes pasivos y necesarios para muchas otras funciones, como la polarización de transistores en amplificadores de bajo ruido (LNA) o la implementación de tanques LC (circuitos resonadores sintonizados) en osciladores. Otros componentes además de los inductores de calidad, son los varactores integrados que amplíen el rango de valores de la capacitancia sin que ello exija una gran cantidad de área para la integración.
El escalado de la tecnología CMOS (>65nm), ha permitido llegar a la integración en un solo chip de gran capacidad de procesado, comunicaciones inalámbricas (wifi, bluetooth), memoria, video, circuitos de RF, audio. Estos RFIC nos permiten disponer de terminales móviles que integran en un solo chip tecnología cuatribanda, cámara de fotos, navegador de internet, reproductor mp3, reproductor de video, agenda, etc .
Bluetooth es un estandar de conectividad wireless que provee comunicaciones de voz y datos de bajo coste para enlazar teléfonos móviles PDA, PC, cámaras digitales y otros dispositivos portátiles. Está tecnología trabaja a 2.4 GHz. Los dispositivos Bluetooth operan en tres clases de potencia. La clase 2 opera a 0 dBm, la clase 2 opera a 4 dBm y la clase 1 opera a 20 dBm. Todas ellas transmite datos a 1 Mbps y la última generación oscila entre 2 y 12 Mbps.
Por lo tanto estos dispositivos deben ser capaces de controlar la potencia desde 20 dBm hasta 0 dBm, Bluetooth habilita este control de potencia optimizándola con LMP (Link Manager Protocol). Consiste en medir la señal recibida (RSSI) y reportando si la señal debe ser amplificada o no. Bluetooth además es considerado un estandar de bajo coste, y lo consigue gracias a la tecnología CMOS. CMOS es usado en esta tecnología como amplificadores de potencia, a continuación se muestra un esquema de un amplificador de este tipo

Amplificador de potencia CMOS.

Problemas de diseño

La integración de la sección digital y de RF sobre un mismo sustrato es un tema de gran interés en la actualidad por las diferentes dificultades que ello conlleva. La problemática de la integración de estas dos secciones tan diferentes repercute en todos los niveles de abstracción y flujos de diseño, desde el desarrollo de la arquitectura, particionado, simulación, pruebas, elección de estándares, normativas, algoritmos, protocolos de comunicación, pasando por aspectos de simulación (CAD y modelado) para la planificación y coordinación de flujos de diseño (en sus diferentes niveles de abstracción), todos estos aspectos enmarcados y delimitados por el desarrollo de la tecnología actual y futura. Por lo tanto, a pesar de las ventajas, es innegable que la tecnología CMOS sufre de una serie de limitaciones, de entre las cuales se destacan los problemas referentes a la integridad de la señal. De entre estos problemas, el ruido de conmutación puede ser considerado un factor crítico en el diseño de Circuitos Integrados. La actividad eléctrica de los nodos digitales se acopla desde la red de distribución de energía al sustrato, implicando la transmisión de ruido a puntos sensibles de las secciones analógicas o de radiofrecuencia (RF), lo cual degrada notablemente sus prestaciones.

Aplicaciones

Las principales aplicaciones de los circuitos integrados de radiofrecuencia son los productos para comunicaciones inalámbricas, como por ejemplo, teléfonos móviles y PCS (servicio de comunicaciones personales: conjunto de tecnologías digitales celulares), estaciones base, redes de área local inalámbricas y módems para televisión cable.


Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

sábado, 26 de junio de 2010

Circuitos Integrados configurables ASIC.

Un Aplication Specific Integrate Circuit o circuito integrado de aplicación específica, mejor conocido como ASIC por sus siglas en ingles, es un circuito integrado configurable que ha sido diseñado para un propósito u aplicación específica para un producto electrónico específico.
Un ASIC completamente configurable tiene probablemente todos los elementos lógicos configurables y adicionalmente todas sus capas son configurables. Un microprocesador es un ejemplo de un de un circuito integrado completamente configurable, en él los diseñadores invierten muchas horas de trabajo para configurar completamente una sección de no mas de una micra cuadrada.
En este tipo de ASIC's se pueden diseñar una o todas las celdas lógicas, la circuitería o layout especificamente para un ASIC [4]. Esto posibilidad permite al diseñador dejar de lado la facilidad de usar celdas probadas y precaracterizadas para todo o parte del diseño. Esto es de provecho solo en caso de que las celdas lógicas existentes en las librerías no tengan propiedades deseables tales como velocidad de cálculo o si la celda es muy grande y consume mucha energía, puede darse el caso de que simplemente ninguno de los diseños disponibles de las celdas de los archivos o librerías sirvan para el propósito deseado. Cada vez menos IC's completamente configurables son diseñados puesto que existen problemas con ciertas partes especiales del ASIC que son muy difíciles de manejar.
Históricamente la tecnología bipolar ha sido utilizada para la precisión en funciones analógicas. La razón fundamental de ello es que en todos los circuitos integrados el apareamiento de las características entre los componentes de distintos IC's es mala pero entre los componentes de un mismo IC's es excelente. Para mejorar la diferencia entre ellos se procesan obleas de silicio por lotes donde se producen varios miles de IC's al mismo tiempo con mínimas diferencias de apareamiento entre si.
El apareamiento entre los transistores es crucial para la operación de un circuito. Para el diseño de IC's se deben localizar pares de transistores uno junto al otro. La física del dispositivo dicta que un par de transistores bipolares podría siempre aparearse mucho más que los transistores de tecnología CMOS del mismo tamaño.
La tecnología bipolar es empleada para el diseño de los ASIC's completamente configurables analógicos porque proporciona mejor precisión. Aunque la realidad es otra, a pesar de las malas propiedades del uso de la tecnología CMOS para la electrónica analógica su empleo se ha incrementado, dos razones de ello son: Es la tecnología mas disponible en el mercado para fabricar IC's, muchos ASIC's estan construidos en esta tecnología. y permite mucho mayor nivel de integración ya que se requieren funciones analógicas y digitales dentro de un mismo IC.
Por este motivo lo diseñadores de ASIC's han encontrado maneras de implementar funciones analógicas utilizando tecnología CMOS con técnicas que aprovechan la exactitud de los diseños analógicos bipolares, la tecnología se denomina BiCMOS.
Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

sábado, 29 de mayo de 2010

NUEVAS TECNOLOGIAS: un ejemplo de interacción entre ciencia, tecnología y sociedad.


Vivimos en una época en la que es evidente el triunfo de la tecnología de la información y las comunicaciones así como sus aplicaciones en la actividad científico-técnica, social y económica. Cualquier avance tecnológico necesita apoyarse en la ciencia y la ciencia también necesita de la tecnología para conseguir nuevos descubrimientos, vernos ahora como la tecnología de la información y las comunicaciones también se han apoyado en la ciencia.
Hoy en día es imposible que nuestros jóvenes alumnos no sepan que es internet, los entornos multimedia o la realidad virtual y que no conozcan las últimas ofertas de ordenadores con determinadas características de memoria RAM, sin embargo puede que sea probable que los jóvenes no sepan que el gran avance se produjo gracias al descubrimiento del transistor, al que en gran medida se deben todos esos logros de la Electrónica integrada que subyace a todas esas aplicaciones mencionadas.
Con el descubrimiento del transistor en diciembre de 1047 (publicado en Junio de 1948), John Bardeen y Walter Brattain inauguraron la época de los semiconductores y la Electrónica fría con alto grado de integración y con ello la posibilidad de toda la tecnología actual en comunicación, cálculo, instrumentación y control. El transistor, es un dispositivo de tres terminales que puede emplearse como amplificador, oscilador y para otros propósitos para los que se había usado las válvulas de vacío.
Hasta 1948 todos los dispositivos electrónicos estaban basados en el movimiento de electrones en el vacío o gases, bajo el control de campos eléctricos y magnéticos, y en la generación de estos portadores mediante emisión termoiónica, fotoeléctrica o secundaria. A partir de esta fecha los dispositivos electrónicos más relevantes están basados en la inyección y el transporte controlado de electrones libres o ligados en el interior de cristales semiconductores en los que hay heterogeneidades controladas que permiten realizar las mismas funciones que antes realizaban las válvulas y otras nuevas. Nace así la electrónica de los semiconductores pasando a primera línea la Física del Estados Sólido.
En la electrónica y en la mayoría de las ciencias se ve claramente la interacción de la ciencia con la tecnología, y es que la ciencia se apoya en la tecnología para avanzar pero la tecnología se ve recíprocamente beneficiada por los avances científicos. A este respecto, mirando hacia atrás vemos ahora cómo fue la Cristalografía y la Tecnología química quienes produjeron los materiales semiconductores.
Los semiconductores, junto con el descubrimiento del efecto transistor y una buena coyuntura económica militar, produjeron la primera fase de la microelectrónica y la tecnología de los circuitos integrados. De aquí mace una nueva etapa de la Física del Estado Sólido, justificada por la utilidad que se desprende de sus resultados tanto que hacen posible nuevos dispositivos electrónicos.
Es esta maraña de descubrimientos, desarrollos teóricos y aplicaciones la que refuerza la investigación básica y constituyen la base de la segunda revolución electrónica.
En la década de los años 60 se presentan tres líneas importantes:
· El desarrollo y la comercialización de los dispositivos de efecto campo.
El paso de la tecnología del germanio a la del silicio.
El nacimiento y espectacular desarrollo de los circuitos integrados.
Los fallos encontrados en los primeros intentos de realización de transistores de efecto campo fueron superados al reemplazar la placa conductora por una unión P-N.
Los circuitos integrados que cumplirán cincuenta años en el 2010 tienen como idea básica la de producir sistemas electrónicos de funciones cada vez más complejas sobre un solo bloque de silicio reemplazando los elementos discretos (transistores, diodos, resistencias, condensadores, conductores y aislantes) por áreas funcionalmente equivalentes.
Por último cabe destacar que la sociedad se ve enormemente beneficiada de estos avances científicos y tecnológicos, en este caso las nuevas tecnologías han cambiado nuestra forma de vida facilitando un intercambio de información rápida que nuestros antepasados nunca habrían imaginado.
Nombre: Inmaculada Muñoz Gallego.
Centro: I.E.S. Virgen de Gracia.
Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

FAMILIAS LOGICAS AVANZADAS


Familia DTL

Fuente: http://www.angelfire.com/la/SEMICONDUCTORES/fla.html
Con este tipo de familia se construyen, principalmente, las puertas NAND y NOR. Recordemos que ambas son una combinación entre una puerta NOT y una puerta AND o OR. La familia DTL se construye con una puerta de diodos y otra RTL.
La familia lógica DTL, la cual incorpora dos tecnologías de diodos y RTL
Analicemos, en primer lugar, cómo se construye una puerta NOT o inversora. El circuito transistor de la ilustración siguiente presenta un inversor para lógica positiva, donde consideraremos un nivel bajo de 0,2 V. correspondiente a la tensión colector-emisor del transistor utilizado y un nivel alto igual a la tensión de alimentación Vcc. Si en la entrada hay un 0 lógico, es decir, su tensión es de 0,2 V, el transistor se encontrará a corte, y en la salida tendremos un 1. Si por el contrario, la tensión en la variable de entrada es Vcc, el transistor pasará a saturación y en la salida tendremos un 0 lógico.
La puerta inversora con tecnología RTL, donde el transistor hace de inversor
A la hora del diseño de los inversores hay que tener en cuenta ciertas características del transistor: la tensión de polarización inversa de la unión de emisor no debe sobrepasar la de ruptura emisor-base (normalmente indicada por el fabricante). Ganancia de corriente en continua. Como ésta disminuye con la temperatura, el circuito debe diseñarse para que el transistor permanezca en saturación aun a las temperaturas más bajas que puedan darse.
Para el cálculo de la curva de transferencia de una puerta DTL se utiliza su circuito equivalente, de dos diodos en oposición y dos uniones base - emisor
La corriente inversa de saturación de colector aumenta aproximadamente el 7% por ºC, por lo que no es posible despreciar el efecto de esta corriente para temperaturas elevadas. Ya hemos visto cómo funciona la puerta AND en la lógica de diodos, y ahora analizaremos el modo en que actúan conjuntamente ambas tecnologías, esto es, unidas en la familia DTL.
Para la fabricación de circuitos integrados con tecnología DTL es necesario sustituir la resistencia y el condensador en paralelo por dos diodos en serie, D y D'
Si cualquier entrada está conectada a nivel bajo su diodo correspondiente (D1, D2 o D3) derivará a tierra la corriente que pasa por la resistencia R1. En este caso, la tensión en el ánodo de cualquiera de los diodos viene fijada por el nivel bajo de entrada más la caída de tensión del diodo correspondiente. Cuando esta tensión es inferior a tres caídas de diodo el transistor de salida pasará a corte. Basta con que una de las entradas esté a nivel bajo para que esto ocurra. Si el resto de las entradas se encontrara a nivel alto, lo único que sucedería es que los diodos correspondientes dejarían de conducir, ya que la tensión de sus ánodos está fijada por el diodo de la entrada que conduce y la tensión de los cátodos sería superior a la de los ánodos quedando polarizados inversamente.
En resumen, podíamos decir que, estando a nivel bajo cualquiera de las entradas, el transistor de salida pasará a corte y la tensión de su colector estará a nivel alto. Sólo cuando todas las entradas están a nivel alto conducirá el transistor y la tensión de su colector será baja, siendo la salida un 0 lógico. El condensador C que se coloca en paralelo con R2 es para mejorar la respuesta transitoria del inversor. Este condensador colabora en la eliminación de la carga de saturación almacenada en la base cuando la señal pasa abruptamente de un estado lógico al otro. Recordemos que un transistor no puede salir de saturación hasta tanto esta carga no abandone la región de base. El tiempo necesario para eliminar esta carga de saturación se denomina tiempo de almacenamiento.
Como casi todas las puertas lógicas se fabrican en circuitos integrados, y en algunos casos los valores elevados de resistencias y condensadores no nos lo van a permitir, y como los transistores y diodos son extraordinariamente baratos de fabricar, la puerta que hemos descrito con resistencia y condensador en la base del transitor Q1, se modifica de manera que R2 y C se sustituyen por diodos. El funcionamiento es análogo al descrito en párrafos anteriores.
Estas puertas se pueden mejorar todavía más si sustituimos el diodo D por un transistor Q2, tal como se indica en la ilustración siguiente. Cuando Q2 está conduciendo se encuentra en su región activa y no en saturación. Esta conclusión se obtiene a partir del hecho de que en la resistencia R2 la corriente está en la dirección de la polarización inversa de la unión del colector del transistor Q2. Como la corriente del emisor de este transistor alimenta la corriente de base de Q1, éste está excitado por una corriente de base mucho mayor que el transistor del circuito anterior con dos diodos. Tomando transistores con iguales características para uno y otro circuito se observa claramente que este último circuito tiene una corriente de colector mucho mayor y, por lo tanto, una capacidad de salida o fan-out mayor.
Para mejorar las puertas DTL, con respecto a su capacidad de salida, se sustituye uno de los diodos por un transistor
Características de la familia DTL
De entre las características de cualquier familia lógica hay una serie de ellas que nos definen qué ventajas e inconvenientes nos encontraremos a la hora de aplicarlas a nuestros circuitos. La primera de ellas es la velocidad de conmutación, en el caso que estamos considerando viene fijada por:
- La velocidad de los dispositivos que la componen.
- Las constantes de tiempo de los circuitos.
En las DTL se observa que la impedancia de salida a nivel alto es tres veces mayor que en RTL. Si consideramos que una puerta DTL va a excitar a una serie de puertas de su misma familia conectadas a su salida, y que cada una de ellas tiene una capacidad parásita a masa, veremos que las capacidades de las puertas de carga aparecen en paralelo y de la que nos resultará una constante de tiempo de valor igual al producto del número de puertas por la capacidad parásita y por la resistencia de salida de la puerta que soporta la carga. De donde resultará, como principal consecuencia o característica, que nos disminuirá considerablemente la velocidad de conmutación en las transiciones de un nivel a otro.
Otro aspecto que hay que considerar es la inmunidad al ruido, debido básicamente a las interferencias producidas por el ambiente exterior al circuito y a la alta impedancia que suelen ofrecer estas puertas. Para evitar esto último se crearon las puertas HTL, de funcionamiento análogo a las DTL, introduciendo un diodo zener en lugar del diodo convencional utilizado para las puertas DTL.
La familia HTL representa una mejora con respecto al ruido de las DTL
En esta curva comparativa se puede ver la diferencia en los niveles de inmunidad al ruido, entre las puertas DTL y HTL
Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES