1.- Oxidación completa de la superficie del sustrato mediante una capa de 120 milimicras de espesor.
La comparación del proceso con el seguido en la fabricación de circuitos bipolares permite establecer que:
- No es preciso crear recintos aislantes que ocupan aproximadamente el 30% de la superficie del sustrato en tecnología bipolar.
- No se precisa la creación de depósito epitaxiales.
- No se precisa más que de una sola operación de difusión ( en tecnología bipolar se precisan por lo menos 4 ).
Así (Figura 3.26) la firma Sprague – Mostek implanta un canal a través de una capa delgada de óxido (la capa espesa detiene los iones de bombardeo), mientras que LETI o Philips sugieren una implantación de surtidor y drenador.
En todo caso se emplea una tecnología mixta en la actualidad, utilizándose a la vez la difusión y la implantación iónica.
Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02