domingo, 27 de junio de 2010

Fabricacion de CI MOS


  1. No es preciso crear recintos aislantes que ocupan aproximadamente el 30% de la superficie del sustrato en tecnología bipolar.
  2. No se precisa la creación de depósito epitaxiales.
  3. No se precisa más que de una sola operación de difusión ( en tecnología bipolar se precisan por lo menos 4 ).
EL MOS TETRODO

Así (Figura 3.26) la firma Sprague – Mostek implanta un canal a través de una capa delgada de óxido (la capa espesa detiene los iones de bombardeo), mientras que LETI o Philips sugieren una implantación de surtidor y drenador.
En todo caso se emplea una tecnología mixta en la actualidad, utilizándose a la vez la difusión y la implantación iónica.



Adriana Gabriela Trujillo
C.I.17863740
EES
SECC. 02

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