CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Estos CI's se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mínimo.

Estos CI's se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia	Rango de tensión	Consumo potencia	Velocidad
estándar (4000)	3 – 15 V	10 mW	20 a 300 ns
serie 74C00	3 – 15 V	10 mW	20 a 300 ns
serie 74HC00	3 – 15 V	10 mW	8 a 12 ns

Tabla 3: Subfamilias CMOS La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.
DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines.
Estos daños pueden prevenirse:

• Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
• Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac.
• Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito.
• Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación.
• Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación.
• No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.
Nerio Ramirez

---

¿Quieres saber qué móvil eres? ¡Descúbrelo aquí!