El transistor más rápido del mundo
(NC&T) Inventado por científicos de la Universidad de Illinois en Urbana, Champaign, el nuevo dispositivo, hecho de fosfuro de indio y arseniuro de galio e indio, se diseñó con un emisor, base y colector de composición gradual, para reducir el tiempo de tránsito y mejorar la densidad de la corriente.
Con este transistor (denominado transistor bipolar de heterounión pseudomórfico, o HBT pseudomórfico), los investigadores han alcanzado una velocidad de 604 gigahercios, la más rápida hasta la fecha.
Según Milton Feng, profesor de ingeniería eléctrica y de computación, e investigador del Coordinated Science Laboratory en Illinois, la graduación pseudomórfica de la estructura del material permite un flujo de electrones más rápido en el colector. El gradiente de composición de los componentes del transistor también mejora la densidad de la corriente y el tiempo de carga de la señal.
Feng y el estudiante graduado Walid Hafez fabricaron el nuevo dispositivo en el Laboratorio de Micro y Nanotecnología de la universidad.
Según Feng, con la estructura convencional no era posible fabricar un transistor de un terahercio. Para lograr tal velocidad en un HBT típico, la densidad de corriente tendría que ser tan grande que fundiría los componentes. En el HBT pseudomórfico, se puede operar a frecuencias más altas con menos densidad de corriente. Con esta nueva estructura sí se puede conseguir un transistor de un terahercio.
Transistores más rápidos posibilitarán ordenadores más rápidos, sistemas de comunicación inalámbrica más flexibles y seguros, y, por otro lado, en el ámbito militar, también permitirán sistemas electrónicos de combate más efectivos.
Obtenido de: http://www.solociencia.com/electronica/05053003.htm
Por: Tirso Ramírez C.I.: 18392099
EES
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